硅功率MOSFET 技术突破，导通电阻降2.7 倍

来源：科技新报 2025-09-29 09:06:23

美国功率半导体新创iDEAL Semiconductor 宣布，其超高效率SuperQ™ 硅功率元件已正式在Polar Semiconductor 投产，为美国本土供应链注入新动能。

SuperQ 是硅MOSFET 架构的重大突破，首次采用专利不对称RESURF 结构，这种设计能让MOSFET 在高电压下均匀分散电场，避免能量集中造成损耗，因此能在保持高耐压的同时，大幅降低导通电阻与切换损耗。

根据官方新闻稿，导通电阻相较传统硅降低最高2.7 倍，切换损耗减少2.1 倍。目前，首批150V 与200V 产品已进入量产，后续将扩展至300V 与400V 应用。 Polar 也正扩建明尼苏达州的200mm 晶圆厂，以支援美国本土需求。

功率半导体是支撑电动车马达、AI 资料中心服务器、再生能源电网的关键元件，因具备承受高电压与大电流的特性，能有效控制与转换电能。然而，全球市场长期由欧洲（Infineon、STMicroelectronics）与日本（ROHM、富士电机）等厂商主导，美国在制造端相对薄弱，产能有限。

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