英飞凌与罗姆签署碳化硅功率器件封装合作备忘录

来源：英飞凌 2025-09-29 08:52:17

德国英飞凌科技（Infineon Technologies）与日本罗姆株式会社（ROHM Co., Ltd.）于2025年9月25日正式签署了一项关于碳化硅（SiC）功率器件封装合作的备忘录。双方通过优势互补，旨在扩展各自生态系统，提升客户在设计和采购环节中的灵活性和供应链稳定性。

根据协议，英飞凌与罗姆将成为对方特定SiC功率器件封装的第二供应商，这意味着客户未来可在两家公司对应兼容的产品之间自由切换，显著简化设计周期，降低采购风险，满足汽车、工业等领域对供应链弹性和产品可靠性的严苛要求。

具体合作内容包括：

- 罗姆将采用英飞凌创新的2.3mm标准高度SiC顶部散热平台。这一平台涵盖了多种封装形式，包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual以及H-DPAK，有助于简化散热设计流程，降低散热系统成本，同时提升功率密度最高可达两倍。
- 英飞凌则将引入罗姆自主开发的半桥结构SiC模块“DOT-247”，并开发与之兼容的封装方案。

双方高层在签约仪式上发表了讲话：英飞凌零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer强调，此次合作将加速碳化硅功率器件的产业普及，为客户提供更多设计与采购选择，推动低碳高能效解决方案的落地。罗姆董事兼常务执行官、功率器件事业部负责人伊野和英指出，通过协同创新可降低系统复杂性，扩大解决方案组合，为客户创造更大价值。

未来，英飞凌与罗姆计划进一步拓展合作范围，涵盖采用硅（Si）及其它宽禁带半导体材料如氮化镓（GaN）的多种功率器件封装形式，深化双方在高效能源转换领域的战略联盟。

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