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三星抢EUV是为存储器?传拟后年量产10纳米DRAM

来源:MoneyDJ新闻    原作者:陈苓    

先前传出三星电子打算买断EUV(极紫外光)设备拓展晶圆代工市场,不过韩国方面的新消息说,三星大买EUV,不只用于晶圆代工,也会用于存储器,计划抢先同业,2019年初量产10纳米DRAM。

韩媒BusinessKorea 29日报导,业界人士表示,三星考虑在韩国华城厂增建EUV设备专用的DRAM产线,最快下个月动工,预定2019年启用,将利用初期10纳米技术生产DRAM,开业界先河。

目前业者多采用ArF浸润式制程生产DRAM,缩小线宽有其极限,DRAM制程很难微缩至10纳米。EUV有望解决此一问题,实现DRAM的10纳米制程。熟悉三星电子情况的观察家说,EUV多用于7纳米晶圆代工,不过有些可以拿来生产DRAM。问题是10纳米晶圆的生产速度较慢,三星能否获利仍是未知数。预料三星将装设4~8台EUV设备。

专家预测,尽管EUV有缺点,三星仍会考虑用EUV生产10纳米DRAM,藉此拉开和对手差距,维持市场霸主地位。今年第三季,三星在移动设备和服务器DRAM的市占,分别增至58.3%、45.9%。

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