群联推新款存储器控制芯片 NAND Flash价格Q2恢复正常

来源：自由时报&中时电子报 2017-04-25 08:38:00

群联昨日在SD协会全球技术研讨会展示最新3D NAND技术存储器控制芯片PS8131，搭载东芝64层垂直储存的3D NAND（BiCS3）技术，相较前一代2D NAND版本的产品，其效能速度快上2倍，已在第一季送样。

群联表示，随着5G、4K8K等高端规格数位串流时代来临，公司积极进攻高端智能手机、平板电脑等智能移动设备快闪存储器市场，并提供稳定且可靠的扩充型存储器解决方案，今年推出符合SD最新规范芯片PS8131，该芯片不仅具备群联自主开发技术，更搭配最新制程3D TLC的 NAND Flash，为市场提供高速且符合经济效益的完整解决方案。

在效能表现上，PS8131延续前一代的MaxIOPS系列技术，为具备SD 5.1 A1规范的NAND Flash高端控制芯片，能提供高于前一代产品2倍的随机写入速度，从500 IOPS提升至1300 IOPS。

在技术发展上，PS8131支持群联电子自主开发的最新科技StrongECCTM纠错技术，因此具备精简及低功耗的设计特性，也能增加3D NAND Flash的可靠度，且预计于今年上半年开始出货搭载具备东芝(Toshiba)64层垂直储存的3D NAND(BiCS3)的高容量储存解决方案。

NAND Flash价格去年起不断上涨，逐渐影响消费者购买意愿，群联董事长潘健成认为，第二季NAND Flash报价可望温和下修，下半年在一线智能手机出货带动下，加上各大存储器厂商SK海力士、美光及东芝在64层的3D NAND良率将会大幅改善，价格将恢复正常表现，预估下半年64层将成为3D NAND主流，明年进一步演进至96层。

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