注册

DRAM相关资讯

创见Q1合并营收新台币56.9亿元 工控产品占比达45%

存储器模组厂创见财报出炉,受到汇率因素冲击,今年第1季每股赚1.33元(新台币,下同),季减43.8%,年减7.9%。

DRAM NAND Flash 创见

存储器

DRAM价格攀升 “OV”新机带动 至上Q2营收挑战双位数增长

中国台湾地区IC渠道商至上今年受惠于DRAM价格攀升,加上主力客户OPPO、Vivo可望在本季推出新机带动,第二季将可望交出亮眼业绩。法人推估,至上第二季营收可望挑战双位数成长。

DRAM NAND Flash 至上电子

IC设计

北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米STT-MRAM器件

近日,北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。

DRAM 集成电路 存储芯片

IC设计

传三星将扩充17厂产能 生产10纳米等级DRAM

三星电子的韩国华城厂即将扩产的传闻延烧许久。最新消息显示,三星决定投资3万亿韩元(约26.4亿美元)提升DRAM产能。

DRAM 三星电子 内存

存储器

2017年NOR Flash缺口高达20% 超过DRAM和NAND Flash

主要NOR Flash大厂旺宏和华邦电在法说会中,都同步释出NOR Flash本季将持续大涨,且涨幅都远高于第1季。

DRAM NAND Flash NOR Flash

存储器

从存储器供不应求看PC市场发展

随着移动产业、物联网及智能汽车产业兴起,让原先并未扩产的存储器产业成为炙手可热的领域,也使得三星更加壮大。

DRAM 三星电子 PC

存储器

2017年智能手机行动式内存平均单机搭载量3.2GB 成长33.4%

全球市场研究机构集邦咨询最新研究显示,在今年度行动式内存猛烈的价格涨势之下,智能手机行动式内存搭载量的成长动能受到压抑,预估2017年智能手机行动式内存平均单机搭载量自3.7GB下修至约3.2GB,与去年相较为仅成长33.4%。

DRAM 智能手机 行动式内存

存储器

存储器价格大涨 打乱科技厂布局

今年以来DRAM及NAND Flash严重缺货,价格涨不停,智能手机及笔电基于成本考量,传出不再提高搭载容量消息。

DRAM 智能手机 NAND Flash

存储器

华邦电接单旺:打入苹果供应链只是第一步

华邦电今年受惠于DRAM及NAND/NOR Flash价格止跌回升,首季营收104.25亿元,较去年同期成长3.4%。

DRAM 华邦电子 NOR Flash

存储器