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DRAM相关资讯

南亚科5月合并营收月减4.68% Q2乐观

南亚科昨(6)日公布5月自结合并营收41.15亿元(新台币,下同),月少4.68%,年增42.06%;累计今年前4月合并营收206.63亿元,年增27%。

DRAM 南亚科

存储器

Q1全球NAND Flash品牌商营收衰退0.4%; 美光拟20亿美元扩充广岛DRAM厂

受季节性因素的影响,以智能手机为主的智能终端产品需求减少,但由于制程转换导致NAND Flash市场供不应求,使得各大品牌厂商在第一季度的营收仅微幅衰退0.4%。

DRAM NAND Flash 美光科技

一周热点

力晶黄崇仁谈DRAM:未来几年都会缺货

力晶集团董事长黄崇仁预料未来几年,DRAM都会缺货,产业荣景会持续下去,绝不会只有两年。

力晶 DRAM 摩尔定律

存储器

AI存储器商机可期 传三星拟大幅增产DRAM

专为高效能AI(人工智能)处理器与服务器打造的3D堆叠DRAM,传三星计划增产三十倍。

DRAM 三星电子 人工智能

存储器

南亚科吴嘉昭:DRAM持续转佳 今年重点发展20nm

DRAM厂南亚科于昨日举行股东会,董事长吴嘉昭指出,DRAM市场今年情况持续转佳,供给端增幅有限,但需求成长率可能超过20%,因此今年市场可望维持稳定,希望今年该公司在本业也能创造更好的成绩。

DRAM 南亚科

存储器

力成逻辑芯片打入日车厂供应链 将成明年动能

近日已通过日半导体厂认证,打入日本车厂供应链,可望加快汽车电子领域布局,将成为明、后年营运成长动能。

DRAM 存储芯片 力成

IC设计

合肥长鑫建12寸晶圆厂 2018年月产12.5万片

日前,由合肥市政府支持的合肥长鑫公司宣布,预计由合肥长鑫投资 72 亿美元,兴建 12 寸晶圆厂以发展 DRAM 产品,未来完成后,预计最大月产将高达 12.5 万片规模。

DRAM 集成电路 合肥长鑫

存储器

Q1行动式内存产值仅季减1.7% 美光营收增长22.3%

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,尽管智能手机传统淡季,生产数量较去年第四季衰退23%,但受到行动式内存合约价格仍呈现上扬的带动,第一季度行动式内存总产值仅较上一季微幅衰退1.7%。

DRAM 内存 美光科技

存储器

国内首个80纳米“万能存储器”制备成功

近日,中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心赵超研究员与北京航空航天大学赵巍胜教授的联合团队经过3年的攻关,成功制备国内首个80纳米自旋转移矩—磁随机存储器器件(STT-MRAM)。

DRAM 集成电路 存储技术

存储器

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