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格罗方德启动成都12英寸晶圆项目
2月10日，国内集成电路产业再迎重大项目布局，全球第二大晶圆代工厂格罗方德在成都高新区正式启动12英寸晶圆制造项目。
此前格罗方德已经在德国、美国和新加坡三地共建设了9座晶圆厂，但此次投资的成都厂是格罗方德在全球投资规模最大、技术水平最先进的生产基地，足见其对中国集成电路市场的重视程度。
据了解，格罗方德成都12英寸晶圆制造基地项目投资规模累计超过100亿美元，共分两期进行。首期建设以主流CMOS工艺为主，预计2018年底投产；二期建设以22nm FD-SOI先进工艺为主，预计2019年第四季度投产。
其中22nm FD-SOI生产工艺具有功耗省、综合成本低等优势，产品可被广泛应用于移动终端、物联网、智能设备、以及汽车电子等领域。
半导体大厂加码投资扩产
新年伊始，全球各大半导体厂商投资建厂的消息就不断被爆出，包括英特尔、三星和SK海力士都宣布了新的建厂计划。
2月9日，英特尔执行长柯再奇在白宫宣布，将在美国亚利桑纳州投资70亿美元用于建设目前已经停工的Fab 42厂。据悉，英特尔最初的计划是利用该工厂生产智能手机芯片，不过目前英特尔已经退出了该市场。
如今，英特尔决定重新投资建设该厂，产品应用领域也从此前的手机芯片改成了物联网设备、服务器、汽车电子等。此外，该工厂完工后直接创造的工作岗位将达3000个，而间接创造的工作机会甚至有可能超过1万个，预计将在未来3~4年内完成建设。
不过，与英特尔在美国本土扩产不同的是，三星和SK海力士选择的扩产工厂都在中国。
据外媒报道，为迎接存储器市场需求热潮，三星将在今明两年追投约5万亿韩元（约合43.5亿美元）的资金用于扩产三星在中国西安的3D NAND Flash厂。
此外，无锡市与SK海力士于近日就下阶段战略发展及拓展合作领域进行会谈时达成共识，SK海力士将在无锡启动第二工厂建设，总投资金额达到36亿美元，但双方并未透露进一步合作的具体计划和信息。
西数生产全球最密集64层3D NAND芯片
2月7日，西部数据（“WD”）宣布已经在日本四日市制造厂开始试生产64层3D NAND 闪存芯片，该芯片也成为了目前全球最密集的NAND 闪存芯片，预计今年下半年开始量产。
据悉，该芯片容量从2016年的256GB提升至了512GB，采用“垂直堆叠技术”或西数与东芝共同称作的Bit Cost Scaling（简称 BiCS）3D技术，芯片架构也从此前的MLC改成了TLC架构。
目前，该闪存芯片可被应用到外形如同口香糖般大小但容量高达3.3TB的SSD固态硬盘驱动器或容量超过10TB的标准2.5英寸SSD中。
东芝半导体事业3月拆分
为弥补因美国核电事业带来的数千亿日元的损失，1月27日，东芝宣布将在2017年3月31日分拆以NAND型快闪存储器为主轴的存储器事业(含SSD事业、不含影像传感器)，同时成立一家新的半导体公司，并接受外部企业的出资。
此消息一出，立刻引起了包括以美光、SK海力士、西数为代表的半导体相关厂商和以美国贝恩资本（Bain Capital）为代表的投资基金的注意，而2月3日举行的第一次招标过程显示，刚刚收购完夏普的鸿海也加入了竞标战局。
不过，由于东芝半导体事业出售的股份不足20%（19.9%），让不少准备参与竞标厂商的态度由此前的积极“备战”转变为后来的观望，连最初有意参与竞标的佳能也作出“暂不投资”的决定，一时间让东芝半导体事业究竟何去何从变得更加扑朔迷离。
最新消息是，目前东芝半导体事业股份出售的最高报价已经超过了预期，达到 4000亿日元(约合人民币242亿元)，但东芝高管表示，除了报价之外，东芝还会考虑其他条件。
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