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紫光南京半导体基地项目签约
1月18日，紫光集团南京半导体产业基地项目及新IT投资与研发总部项目在南京正式签约，再次为紫光集团实现“芯—网—云”的战略目标划下重要一笔。
此次紫光集团在南京的两大项目总投资达到2600亿元人民币，其中半导体产业项目涉及金额为300亿美元（约合人民币2060亿元），未来将在南京市江北新区浦口经济开发区集成电路产业园打造总占地面积约1500亩的半导体产业基地。
据悉，该项目由紫光集团投资建设，一期投资约为100亿美元（约合人民币687亿元）。主要攻坚3D-NAND Flash、DRAM存储芯片产品，以存储芯片及存储器尖端制造环节为突破口，集存储产品设计、技术研发、生产制造、销售于一体，带动设计、制造、封装、测试等集成电路产业链的发展。预计首期项目建成后月产能将达到10万片。
此外，除了300亿美元的工厂建设投资外，紫光集团还将投入300亿元人民币用于建设包括科技园、设计封装产业基地、国际学校、商业设施、国际人才公寓等在内的综合配套设施。该项目的实施也标志着紫光集团在半导体产业的战略布局基本成形。
中芯国际40纳米ReRAM芯片出样
近年来，随着摩尔定律趋向极限，不少存储器厂商开始寻找下一个技术突破点，主要是基于PCM相变存储技术的3D XPoint芯片和ReRAM芯片（非易失性阻变式存储器）。其中3D XPoint芯片的研发代表为英特尔和美光，而2010年成立的Crossbar则成为了ReRAM芯片研发的代表。
2016年3月，中芯国际与Crossbar公司达成战略合作，基于中芯国际的40纳米CMOS试产ReRAM芯片。近日，双方合作后的首款产品终于诞生，中芯国际40nm工艺的ReRAM芯片正式出样。
与NAND 闪存相比，ReRAM芯片不仅具有读写速度更快，性能更高，耐用性更强等特点，同时还具备结构简单、易于制造等优点。
而基于中芯国际40纳米的ReRAM芯片在写入速度和耐久性方面更是比NAND芯片提升了1000倍，读取速度快100倍，密度比DRAM内存芯片提升了40倍，且200mm2左右的单芯片即可实现TB级的存储。
此外，按照中芯国际的工艺制程规划，其更先进的20纳米ReRAM芯片也将在2017年上半年正式亮相。
台积电5纳米制程基地或今年动工
作为全球最大的晶圆代工厂，台积电在工艺制程上的步伐一直都处于领先地位，在先进工艺制程的研发布局上也是“毫不手软”。
2016年12月，台积电曾宣布投资5000亿新台币用于建设5纳米和3纳米工艺的全新芯片生产线。按照台积电此前公布的消息，目前已经抽调了300到400名工程师进行3纳米制程工艺的研发，而在5纳米制程上，台积电目前也有了重大进展。
最新消息是，台湾地区环境影响评估审查委员会会议（环评大会）已于1月18日通过台积电南科扩建案环境差异影响评估，这意味着台积电5纳米制程基地最快有望在今年动工，待台积电董事会通过后即可启动。
相比现有的25纳米制程，台积电的5纳米制程基地可省电90%。据悉，该制程基地占地面积约为40公顷（约600亩），投资金额达到数千亿新台币，预计在2020年实现量产。
东芝拟拆分半导体业务
近日，有消息报道称，日本电子大厂东芝（Toshiba）正在考虑拆分包括快闪存储器（Flash Memory）在内的半导体业务，并以约2000亿至3000亿日元的作价将20%的股份卖给其合作伙伴西部数据（Western Digital），而东芝也将因此获得27亿美元的进账。
随后，东芝针对该消息发表声明称：“公司内部的确正在讨论拆出存储器芯片部门，但尚未定案。”不过东芝对于股权交易部分并未发表任何评论。
作为东芝的核心部门以及东芝利润的重要收入来源，有业内人士认为，东芝此举是为了弥补因核能业务巨额亏损对其运营造成的巨大冲击，同时提升与三星电子的竞争力。
据悉，按照该媒体的报道，东芝拆分半导体部门后，最快将在2017年上半年组建新的半导体公司，其中东芝出资比例将超过50%、以持续和西部数据共同推动快闪存储器业务，且半导体新公司今后还会考虑IPO上市。
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