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闪存相关资讯

中国存储控制芯片迎来春天?

近年来,市场对于存储器的要求逐渐提升,持续保持擦写、使用寿命延长、出错概率变低、读写速度变快、稳定性变强等诸多功能的实现离不开存储控制芯片...

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旺宏:第4季NOR Flash价格持稳,续提升制程及研发

展望未来,吴敏求说,高质量及高密度编码型快闪存储器(NOR Flash)市场仍会持续成长,第 4 季与明年产品可望维持一定价格,低容量 NOR Flash 市场则在中国厂商竞争激烈下,恐将面临跌价压力。

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群联潘健成:NAND控制芯片迎接1x纳米时代 垫高进入门槛

快闪存储器(NAND Flash)控制芯片及储存解决方案大厂群联电子董事长潘健成昨(19)日表示,“NAND Flash控制芯片进入非常昂贵的1x纳米等级的晶圆...

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群联64层3D QLC NAND Flash控制芯片 正式出货

快闪存储器(NAND Flash)控制芯片及储存解决方案领导群联昨(6)日正式宣布,搭载美系国际原厂最新QLC规格64层3D NAND Flash 之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出货。

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东芝斥资 1 兆日圆新建快闪存储器厂,2020年底量产

日前日本东芝半导体在日本东北部地区岩手县北上市,举行了首座半导体晶圆制造厂 K1 的奠基仪式。该工厂预计将在 2019 年第 3 季完工,未来将专门进行 3D 快闪存储器的生产工作。

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供过于求 路透社:存储器市场荣景将到尽头

报导指出,业界技术更新转向3D NAND快闪存储器,组装成本降低,使今年产量成长速度超过需求,规模芯片商被迫降价以维持市占率。当前,NAND快闪存储器价格与2017年的高峰相比近乎腰斩。

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QLC 3D NAND Flash来势汹汹  SSD控制器准备就绪

更大容量、更高效能一直是固态硬盘(SSD)产品发展的主要方向,而为了迎合此一目标,大多数NAND Flash厂都计划在2018年下半推出采用QLC架构的64层3D NAND Flash,并预计在2019年将其应用在96层产品上。

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华泰接单强劲 转盈有望

华泰受惠于今年NAND Flash晶圆货源充足,让华泰接单明显回流,第二季合并营收达36.31亿新台币,较第一季成长15.7%,与去年同期相较成长10.5%,表现优于预期。

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抢先插旗90层TLC市场 三星宣布量产第5代V-NAND

三星(Samsung)近日宣布正式量产第5代V-NAND快闪存储器,第5代V-NAND 堆栈层数超过90层,且为首度支援Toggle DDR 4.0传输界面的NAND快闪存储器,其单颗封装的传输速度即可达1.4Gbps,相较于前一代64层的产品,传输速度提高了40%,并可实现更低的功耗及大幅减少写入延迟。

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